RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
5.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1453
2256
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Сравнения RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link