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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
63
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,378.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
63
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2162
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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