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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
49
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3564
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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