RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
49
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3564
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link