RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
57
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
57
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2213
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link