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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
62
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2159
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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