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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3409
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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