RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3477
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link