RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3673
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link