RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2608
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link