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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2608
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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