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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
17
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3714
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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