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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.2
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
17
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3714
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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