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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
48
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2199
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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