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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3029
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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