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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Compara
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
3.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En -16% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
44
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
7.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
3.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
915
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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