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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Puntuación global
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1274
2843
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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