RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3119
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Informar de un error
×
Bug description
Source link