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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
56
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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