RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link