RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
50
En 46% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
50
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2512
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link