Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

総合得点
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 50
    周辺 46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2251 left arrow 2512
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