RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
45
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2925
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link