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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
73
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
1609
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
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