RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
1609
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link