RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2548
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link