RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2548
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378B2873GB0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link