RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2311
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link