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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
38
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2753
2709
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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