RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

総合得点
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 16
    テスト平均値
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 38
    周辺 -27% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 12800
    周辺 1.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2753 left arrow 2709

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
メモリRAM
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
メモリRAM