RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2709
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link