RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
45
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3124
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link