RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
65
Около -210% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2930
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link