RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
65
Intorno -210% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
21
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2930
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link