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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
65
左右 -210% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
21
读取速度,GB/s
4,806.8
18.5
写入速度,GB/s
2,784.6
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2930
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
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