RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
54
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
54
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2277
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link