RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2277
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link