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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
68
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
68
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
1925
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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