RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
68
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
68
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
1925
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link