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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2159
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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