RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2159
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link