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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2142
3169
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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