RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
14.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2142
3169
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link