RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
94
Intorno 47% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5.6
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.9
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
94
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
5.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
4.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
1334
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link