RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
94
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5.6
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.9
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
94
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
5.6
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
4.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1334
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link