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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
52
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
52
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2142
2236
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
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