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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.6
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2848
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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