SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Unterschiede

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 11.3
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 37
    Rund um -6% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 15.4
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 35
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.4 left arrow 15.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 11.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2321 left arrow 2848
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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