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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
15.4
15.5
写入速度,GB/s
11.6
11.3
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2848
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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