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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
総合得点
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
総合得点
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
11.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
37
周辺 -6% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
15.4
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
35
読み出し速度、GB/s
15.4
15.5
書き込み速度、GB/秒
11.6
11.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2321
2848
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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